半导体微尺寸量测技术网络研讨会_ 三维轮廓仪 | 芯片良率

【网络联合研讨会】半导体微尺寸量测技术

06月,29,2026 | 浏览次数：1306

【半导体微尺寸量测技术】网络联合研讨会

精准三维表征，护航芯片良率与工艺稳定

全球半导体市场持续扩容：WSTS2026年春季报显示，全年规模将达1.51万亿美元；SEMI预测2026年全球半导体设备销售额攀升至1450亿美元，Omdia更指出中国市场规模将增长31.26%至5465亿美元。制程微缩与先进封装规模化下，微尺寸量测已成质控核心——晶圆起伏超差致光刻失焦、激光开槽偏差损Low-K层、植球共面性不良引虚焊，高精度计量是企业提良率、稳工艺的关键支撑。

核心方案：3D轮廓仪技术体系

区别于传统显微镜仅平面观测，3D轮廓仪同步获取水平与纵向信息，输出三维尺寸、粗糙度、平面度等量化数据，适配全链条需求。设备搭载白光干涉+共聚焦双模态架构：

白光干涉（CSI/PSI）：通用测量噪声低至1nm，超光滑表面噪声达0.01nm，高度覆盖nm~mm级，适配晶圆粗糙度、光刻机镜片、先进封装关键尺寸无损测量；

共聚焦模式：高倍物镜分辨率优于普通显微镜，高倍镜噪声可达nm级，高度覆盖nm~mm级，适配粗糙表面结构尺寸测量，如CMP抛光垫、陶瓷件、静电卡盘等需要高水平分辨率的复杂形貌表征。

◆前沿解析，攻克半导体微纳量测难题

本次直播围绕测试需求与背景、3D轮廓仪测量原理和测量能力、半导体应用案例三大板块，内容贴合产线实操。课程详解3D轮廓仪白光干涉、共聚焦双模态技术适配场景，覆盖晶圆、第三代半导体、先进封装、CPO全流程量测，结合量产实测数据分享工艺优化与失效排查方法。

面向受制程良率、器件可靠性、封装失效、耗材成本困扰，或需搭建计量体系、推进国产替代的企业，本次课程输出成套落地化三维量测方案，帮助企业预判工艺偏差、高效解析失效、提升产品良率，实现量产提质降本。

◆网络相约、共探技术

2026年6月29日16点，优尔鸿信联合黑河（香港）有限公司开展「半导体微尺寸量测技术」网络研讨会，邀请了黑河（香港）有限公司应用技术部门主管刘义诚，在线详细讲解3D轮廓仪测量原理和测量能力，结合行业应用带来实战案例深度解析，并即时为您答疑解惑。直播间更设有参与奖励送不停，识别海报二维码预约直播参与抽奖。

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【半导体微尺寸量测技术】网络联合研讨会

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